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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.7
16.3
写入速度,GB/s
7.5
10.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2658
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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