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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
13.7
写入速度,GB/s
7.5
6.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2052
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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