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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
12.7
19.0
写入速度,GB/s
7.5
12.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3110
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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