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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.7
19.4
写入速度,GB/s
7.5
14.8
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3628
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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