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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
17.2
写入速度,GB/s
7.5
13.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3242
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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