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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
12.7
15.3
写入速度,GB/s
7.5
12.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2760
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
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