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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
18.9
写入速度,GB/s
7.5
15.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3466
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KF556C40-16 16GB
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