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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
17.2
写入速度,GB/s
7.5
15.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3652
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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