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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
17
读取速度,GB/s
12.7
22.1
写入速度,GB/s
7.5
18.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3847
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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