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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
11.8
写入速度,GB/s
7.5
6.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1860
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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