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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
20
读取速度,GB/s
12.7
19.0
写入速度,GB/s
7.5
15.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3410
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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