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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
15.9
写入速度,GB/s
7.5
8.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2326
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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