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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 58% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
66
读取速度,GB/s
12.7
15.9
写入速度,GB/s
7.5
8.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1953
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
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