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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905630-066.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
16.9
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3152
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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