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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905678-156.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
15.1
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2516
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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