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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965589-043.E00G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
10.1
写入速度,GB/s
7.5
8.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2265
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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