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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
8.2
写入速度,GB/s
7.5
7.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1824
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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