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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965662-004.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
12.1
写入速度,GB/s
7.5
8.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2493
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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