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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
14.8
写入速度,GB/s
7.5
12.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2997
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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