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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
119
左右 76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
1.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
2.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
119
读取速度,GB/s
12.7
1.8
写入速度,GB/s
7.5
2.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
447
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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