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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
16.5
写入速度,GB/s
7.5
13.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3156
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5603-002.A00G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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