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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
17.3
写入速度,GB/s
7.5
14.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3112
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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