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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
12.7
16.6
写入速度,GB/s
7.5
9.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2875
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A3000C12 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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