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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston X5H5PW-MIE 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 33
    左右 15% 更低的延时
Kingston X5H5PW-MIE 8GB 需要考虑的原因
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3111

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
内存RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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