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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
12.7
12.8
写入速度,GB/s
7.5
9.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2238
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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