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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
14.2
写入速度,GB/s
7.5
10.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2148
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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