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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
14.3
写入速度,GB/s
7.5
6.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2191
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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