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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
74
读取速度,GB/s
12.7
14.4
写入速度,GB/s
7.5
6.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1557
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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