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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
81
左右 65% 更低的延时
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
81
读取速度,GB/s
12.7
14.4
写入速度,GB/s
7.5
7.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1824
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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