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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
16.4
写入速度,GB/s
7.5
13.1
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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