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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
81
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
81
读取速度,GB/s
12.7
12.7
写入速度,GB/s
7.5
6.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1460
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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