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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
13.2
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3247
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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