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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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更快的读取速度,GB/s
13
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
12.7
13.0
写入速度,GB/s
7.5
10.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2757
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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