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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
15.9
写入速度,GB/s
7.5
11.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2991
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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