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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
12.7
20.4
写入速度,GB/s
7.5
17.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3681
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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