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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
11.1
写入速度,GB/s
7.5
9.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2386
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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