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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.7
17.1
写入速度,GB/s
7.5
11.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3009
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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