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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
14.7
写入速度,GB/s
7.5
7.3
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2476
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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