RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
star star star star star
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB 需要考虑的原因
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 35
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 12.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 2553

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB RAM的比较

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
内存RAM
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
内存RAM