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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
14.4
16.8
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3075
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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