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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
35
左右 -94% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
18
读取速度,GB/s
14.4
21.4
写入速度,GB/s
9.5
18.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3625
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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