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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
17.6
写入速度,GB/s
9.5
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3412
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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