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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
14.4
18.3
写入速度,GB/s
9.5
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
4065
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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