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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
14.4
15.1
写入速度,GB/s
9.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3121
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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