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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
45
读取速度,GB/s
14.4
15.6
写入速度,GB/s
9.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3297
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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