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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
14.8
写入速度,GB/s
9.5
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2635
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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