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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
14.4
14.2
写入速度,GB/s
9.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2933
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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