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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
14.4
17.3
写入速度,GB/s
9.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3359
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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