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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
差异
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
14.4
15.6
写入速度,GB/s
9.5
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2964
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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