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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
14.4
16.0
写入速度,GB/s
9.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3238
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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